STMicroelectronics, un leader globale nel settore dei semiconduttori con clienti provenienti da vari settori dell'elettronica, ha annunciato l'introduzione di un processo avanzato basato sulla tecnologia FD-SOI (Fully Depleted Silicon On Insulator) a 18 nm con ePCM (embedded Phase Change Memory) per supportare i dispositivi di elaborazione embedded di prossima generazione.
Questa nuova tecnologia di processo, sviluppata in collaborazione con Samsung Foundry, rappresenta un significativo passo avanti in termini di prestazioni e efficienza energetica per le applicazioni di elaborazione embedded. Questa innovazione permetterà anche di implementare memorie di maggiori dimensioni e di ottenere livelli di integrazione più elevati per le periferiche analogiche e digitali.
I primi campioni del microcontrollore STM32 basato su questa nuova tecnologia saranno distribuiti a clienti selezionati nella seconda metà del 2024, con la produzione che inizierà nella seconda metà del 2025. Remi El-Ouazzane, Presidente del gruppo Microcontrollers, Digital ICs and RF products di STMicroelectronics, ha sottolineato l'importanza di portare i vantaggi delle tecnologie FD-SOI e PCM anche agli sviluppatori di applicazioni industriali.
Gli sviluppi introdotti dalla tecnologia FD-SOI a 18 nm con ePCM offrono notevoli miglioramenti rispetto alla tecnologia della memoria eNVM a 40 nm attualmente utilizzata da ST. Tra i principali vantaggi ci sono un miglioramento del 50% nel rapporto prestazioni/potenza, un aumento del 2,5 volte della densità della memoria non volatile (NVM), una densità digitale triplicata per l'integrazione di periferiche digitali e un miglioramento di 3 dB nei valori di rumore per prestazioni RF superiori.
Questo nuovo approccio tecnologico consente di operare a 3 V per supportare funzionalità analogiche come la gestione della potenza, i sistemi di ripristino, le sorgenti di clock e i convertitori digitali/analogici, garantendo allo stesso tempo l'affidabilità richiesta per le applicazioni industriali complesse grazie al robusto funzionamento ad alta temperatura e alle capacità di conservazione dei dati già testate nelle applicazioni automobilistiche.
I microcontrollori basati su questa tecnologia consentiranno agli sviluppatori di realizzare una nuova classe di dispositivi wireless ad alte prestazioni e basso consumo energetico. Le ampie capacità di memoria supportano le crescenti esigenze di elaborazione dell'"AI Edge", degli stack RF multiprotocollo, degli aggiornamenti via etere (over-the-air) e delle funzionalità di sicurezza avanzate.
La possibilità di raggiungere prestazioni elevate e di implementare memorie di grandi dimensioni offrirà agli sviluppatori nuove opportunità e permetterà loro di utilizzare microcontrollori più integrati e convenienti per i loro progetti, contribuendo all'efficienza energetica dei dispositivi a potenza ultrabassa, settore in cui ST detiene attualmente una posizione di leadership.
Il primo microcontrollore basato su questa tecnologia integrerà il core ARM Cortex-M più avanzato, offrendo prestazioni ottimizzate per applicazioni di machine learning ed elaborazione di segnali digitali, interfacce di memoria esterna veloci e flessibili, capacità grafiche avanzate, integrazione con numerose periferiche analogiche e digitali, nonché funzionalità di sicurezza avanzate e certificate.
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