STM costruirà in Italia primo impianto integrato per carburo di silicio
31/05/2024 08:55
STMicroelectronics, azienda leader globale nel settore dei semiconduttori con clienti provenienti da tutti i settori dell'elettronica, ha annunciato la costruzione di un nuovo impianto a Catania per la produzione su larga scala di carburo di silicio ("SiC") da 200 mm, destinato a dispositivi e moduli di potenza, nonché a test e packaging. Questo impianto si unirà a quello già in fase di allestimento nel medesimo sito, formando il Silicon Carbide Campus di ST, che realizzerà la visione aziendale di una completa integrazione verticale degli impianti manifatturieri per la produzione su larga scala di SiC in un'unica sede.
La creazione di questo nuovo SiC Campus rappresenta una tappa fondamentale per soddisfare la crescente domanda di dispositivi SiC nell'ambito delle applicazioni automobilistiche, industriali e di infrastrutture cloud, da parte di clienti che stanno abbracciando l'elettrificazione e cercano soluzioni più efficienti. Jean-Marc Chery, Presidente e CEO di STMicroelectronics, ha sottolineato che le capacità integrate offerte dal Silicon Carbide Campus di Catania contribuiranno notevolmente al consolidamento della leadership di ST nella tecnologia SiC per i settori automotive e industriali nei prossimi anni.
Il Silicon Carbide Campus diventerà il fulcro dell'ecosistema globale SiC di ST, integrando tutte le fasi del processo produttivo, dall'innovazione di substrati in SiC alla fabbricazione di fette da 200 mm, all'assemblaggio dei moduli, alla ricerca e sviluppo di processi e prodotti. Si prevede che l'impianto inizierà la produzione nel 2026, per raggiungere la piena capacità entro il 2033, con una produzione massima di 15.000 wafer a settimana.
L'investimento totale previsto è di circa cinque miliardi di euro, con un sostegno finanziario di circa due miliardi di euro da parte dello Stato italiano nell'ambito del Chips Act dell'Unione Europea. La sostenibilità ambientale rappresenta una componente essenziale della progettazione, dello sviluppo e delle attività operative del SiC Campus, con un'impegno a garantire un consumo responsabile di risorse come acqua ed elettricità.
La creazione di questo nuovo SiC Campus rappresenta una tappa fondamentale per soddisfare la crescente domanda di dispositivi SiC nell'ambito delle applicazioni automobilistiche, industriali e di infrastrutture cloud, da parte di clienti che stanno abbracciando l'elettrificazione e cercano soluzioni più efficienti. Jean-Marc Chery, Presidente e CEO di STMicroelectronics, ha sottolineato che le capacità integrate offerte dal Silicon Carbide Campus di Catania contribuiranno notevolmente al consolidamento della leadership di ST nella tecnologia SiC per i settori automotive e industriali nei prossimi anni.
Il Silicon Carbide Campus diventerà il fulcro dell'ecosistema globale SiC di ST, integrando tutte le fasi del processo produttivo, dall'innovazione di substrati in SiC alla fabbricazione di fette da 200 mm, all'assemblaggio dei moduli, alla ricerca e sviluppo di processi e prodotti. Si prevede che l'impianto inizierà la produzione nel 2026, per raggiungere la piena capacità entro il 2033, con una produzione massima di 15.000 wafer a settimana.
L'investimento totale previsto è di circa cinque miliardi di euro, con un sostegno finanziario di circa due miliardi di euro da parte dello Stato italiano nell'ambito del Chips Act dell'Unione Europea. La sostenibilità ambientale rappresenta una componente essenziale della progettazione, dello sviluppo e delle attività operative del SiC Campus, con un'impegno a garantire un consumo responsabile di risorse come acqua ed elettricità.
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